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PMV65UNER
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N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装为小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PMV65UNER |
| 商品封装： | SOT-23 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.0246克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 20V | 连续漏极电流(Id)： | 2.8A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 73mΩ@4.5V,2.8A | 耗散功率(Pd)： | 940mW |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 1V@250uA | 栅极电荷量(Qg)： | 6nC@4.5V |
| 输入电容(Ciss)： | 291pF | 反向传输电容(Crss)： | 43pF |
| 工作温度： | -55℃~+150℃ | 配置： | - |
| 类型： | N沟道 | 输出电容(Coss)： | 52pF |