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PMV45EN2R
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N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PMV45EN2R |
| 商品封装： | SOT-23 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.038克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 30V | 连续漏极电流(Id)： | 5.1A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 42mΩ@10V,4.1A | 耗散功率(Pd)： | 1.115W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 2V | 栅极电荷量(Qg)： | 6.3nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 209pF@15V | 反向传输电容(Crss)： | 17pF@15V |
| 工作温度： | -55℃~+150℃ | ||