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名称：PMV280ENEAR
简述：N-通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
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N-通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMV280ENEAR
商品封装： SOT-23​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.104克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 100V 连续漏极电流(Id)： 1.1A
导通电阻(RDS(on))： 385mΩ@10V,1.1A 耗散功率(Pd)： 1.4W
阈值电压(Vgs(th))： 2.7V 栅极电荷量(Qg)： 6.8nC@10V
输入电容(Ciss)： 190pF@50V 反向传输电容(Crss)： 9pF@50V
工作温度： -55℃~+175℃