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名称：PMPB95ENEAX
简述：N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅中功率OFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅中功率OFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMPB95ENEAX
商品封装： SOT1220​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.017克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 80V 连续漏极电流(Id)： 4.1A
导通电阻(RDS(on))： 80mΩ@10V 耗散功率(Pd)： 1.6W
阈值电压(Vgs(th))： 2.7V 栅极电荷量(Qg)： 9.9nC@10V
输入电容(Ciss)： 504pF@40V 反向传输电容(Crss)： 26pF@40V
工作温度： -55℃~+150℃ 配置： -
类型： N沟道 输出电容(Coss)： 43pF