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名称：PMPB55ENEAX
简述：N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚中功率DFN2020MD-6 (SOT1220)表面贴装塑料封装。
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N沟道增强型场效应晶体管(FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚中功率DFN2020MD-6 (SOT1220)表面贴装塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMPB55ENEAX
商品封装： DFN-6(2x2)​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.017克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 60V 连续漏极电流(Id)： 4A
导通电阻(RDS(on))： 56mΩ@10V,4A 耗散功率(Pd)： 1.65W
阈值电压(Vgs(th))： 2.7V 栅极电荷量(Qg)： 12nC@10V
输入电容(Ciss)： 435pF@30V 反向传输电容(Crss)： 26pF@30V
工作温度： -55℃~+150℃