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名称:PMPB15XP,115
简述:采用沟槽式MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚中功率DFN2020MD - 6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
¥1.33
  • 库存量: 2610
  • 起订量: 5
数量 价格
5+ ¥1.330000
50+ ¥1.080074
150+ ¥0.972940
500+ ¥0.839202
3000+ ¥0.779718
6000+ ¥0.743981
产品描述
产品参数
产品手册
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采用沟槽式MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚中功率DFN2020MD - 6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
基本属性
品牌名称: Nexperia(安世) 商品型号: PMPB15XP,115
商品封装: DFN2020MD-6​ 包装方式: 编带
商品毛重: 0.017克(g)    
技术参数
商品目录: 场效应管(MOSFET) 数量: 1个P沟道
漏源电压(Vdss): 12V 连续漏极电流(Id): 11.8A
导通电阻(RDS(on)): 19mΩ@4.5V,8.2A 耗散功率(Pd): 1.7W
阈值电压(Vgs(th)): 900mV 栅极电荷量(Qg): 100nC@6V
输入电容(Ciss): 2.875nF@6V 反向传输电容(Crss): 530pF@6V
工作温度: -55℃~+150℃