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名称：PMPB10XNEZ
简述：N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
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N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMPB10XNEZ
商品封装： DFN2020MD-6​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.016克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 1个N沟道
漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 9A
导通电阻(RDS(on))： 14mΩ@4.5V,9A 耗散功率(Pd)： 1.7W；12.5W
阈值电压(Vgs(th))： - 栅极电荷量(Qg)： 34nC@4.5V
输入电容(Ciss)： 2.175nF@10V 工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)