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PMN55ENEX
产品描述
产品参数
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采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
| 基本属性 | |||
| 品牌名称： | Nexperia(安世) | 商品型号： | PMN55ENEX |
| 商品封装： | SOT-457 | 包装方式： | 编带 |
| 商品毛重： | 0.031克(g) | ||
| 技术参数 | |||
| 商品目录： | 场效应管(MOSFET) | 数量： | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss)： | 60V | 连续漏极电流(Id)： | 4.5A |
| 导通电阻(RDS(on))： | 60mΩ@10V,3.4A | 耗散功率(Pd)： | 560mW；6.25W |
| 阈值电压(Vgs(th))： | 2.7V | 栅极电荷量(Qg)： | 19nC@10V |
| 输入电容(Ciss)： | 646pF@30V | 反向传输电容(Crss)： | - |
| 工作温度： | -55℃~+150℃@(Tj) | ||