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名称：PMGD280UN,115
简述：采用TrenchMOS™技术、塑料封装的双N沟道增强型场效应晶体管。
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产品描述
产品参数
产品手册
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采用TrenchMOS™技术、塑料封装的双N沟道增强型场效应晶体管。
基本属性
品牌名称： Nexperia(安世) 商品型号： PMGD280UN,115
商品封装： TSSOP-6(SOT-363)​ 包装方式： 编带
商品毛重： 0.022克(g)    
技术参数
商品目录： 场效应管(MOSFET) 数量： 2个N沟道
漏源电压(Vdss)： 20V 连续漏极电流(Id)： 870mA
导通电阻(RDS(on))： 660mΩ@1.8V,0.075A 耗散功率(Pd)： 400mW
阈值电压(Vgs(th))： 1V@0.25mA 栅极电荷量(Qg)： 890pC@4.5V
输入电容(Ciss)： - 反向传输电容(Crss)： -
工作温度： -55℃~+150℃ 类型： N沟道
输出电容(Coss)： -